STL100N8F7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率密度与散热难题而妥协？想象一下，一颗能够承载100A大电流、导通电阻低至毫欧级别的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与空间释放？答案就蕴藏在STL100N8F7之中。

这颗来自意法半导体STripFET家族的N沟道MOSFET，绝非普通的功率器件。它采用先进的PowerFlat封装，在仅为5x6毫米的纤薄身形下，却蕴藏着80V耐压与高达100A的连续电流处理能力。其核心魅力在于极低的导通损耗，6.1毫欧的超低Rds(on)值意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更大幅降低了对散热系统的依赖，让您的产品设计可以更加轻薄、紧凑，同时运行更安静、更可靠。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC电源模块，还是工业自动化中需要快速响应的电机驱动与变频器，亦或是新能源领域如车载充电机(OBC)、光伏逆变器中的关键开关，STL100N8F7都能游刃有余。它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下依然稳定如一，而其优化的栅极电荷（Qg）特性则有助于实现更高的开关频率，让您的电源拓扑设计可以选用更小的磁性元件，进一步压缩体积、降低成本。选择它，就是为您的产品注入了高可靠性、高功率密度的基因。

当您决定为下一个项目寻找这颗性能标杆时，确保供应链的可靠与技术支持的专业至关重要。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能为您提供原装正品的STL100N8F7，更能带来来自制造商一线的技术资料与设计支持。让我们携手，将这份强大的功率处理能力，转化为您产品在市场上无可比拟的竞争优势。

• 型号:STL100N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL100N8F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率器件的体积和发热烦恼吗？STL100N8F7就是为您的高效、紧凑型设计而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和100A的强大电流承载能力，而其核心优势在于仅6.1毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，极大地节省了PCB空间，非常适合追求高功率密度的应用。同时，优异的栅极电荷和开关特性让您能轻松提升开关频率，从而优化周边磁性元件的选型，实现整体方案的小型化与成本优化。选择它，就是选择了一份让设计更轻松、让性能更出众的可靠保障。