STB100NF04T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB100NF04T4技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和散热难题而困扰？想象一下，一颗能够承载120A大电流却仅有4.6毫欧超低导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STB100NF04T4带来的震撼体验。它不仅仅是一个参数，更是通往更高能效、更紧凑设计和更强可靠性的钥匙。源自意法半导体备受赞誉的STripFET II技术，并符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，这颗芯片从诞生之初就注定不凡，专为应对最严酷的应用挑战而打造。

无论是疾驰电动汽车的电机驱动与电池管理系统，还是数据中心服务器中不容有失的冗余电源，亦或是工业自动化领域里高频率切换的变频器，STB100NF04T4都能游刃有余。其高达300W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，意味着它能在冰火两重天的极端环境中稳定输出，保障系统7x24小时不间断可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了“汽车级”的坚韧基因，让最终用户感受到动力澎湃却安静凉爽的卓越体验。

那么，工程师们为何纷纷将目光投向STB100NF04T4？答案在于它实现了性能与成本的完美平衡。超低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，显著提升整机效率并简化散热设计；优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，驱动更轻松，特别适合高频应用。这意味着您可以用更小的尺寸、更简单的电路，实现更强大的功能。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。无需犹豫，让STB100NF04T4成为您下一代高性能设计的核心动力，共同开启能效新纪元。

型号:STB100NF04T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“能量开关”吗？STB100NF04T4正是您的高效之选！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流承载能力，而其导通电阻低至惊人的4.6毫欧，能极大减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在极端温度下依然稳定可靠。优化的150nC栅极电荷，让您能够轻松实现快速开关，完美适用于电机驱动、电源转换等高动态响应场景。选择STB100NF04T4，就是选择让您的设计轻松获得高性能、高可靠性的强大心脏。