STB34NM60N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承载高功率又能保持冷静的“心脏”？今天，我们为您带来的STB34NM60N，正是意法半导体MDmesh II系列中的明星功率MOSFET，它用600V的耐压和29A的连续电流承载能力，重新定义了高效与可靠的边界。想象一下，在紧凑的工业电源或 demanding 的电机驱动应用中，它能将导通损耗降至最低，让系统整体效率轻松跃升一个新台阶，同时其卓越的散热表现确保了长期运行的稳定性。

这颗芯片的身影，活跃在众多关键领域。无论是服务器电源、通信基础设施的能源模块，还是不断进化的新能源车车载充电机(OBC)和工业电机驱动，STB34NM60N都能游刃有余。它特别擅长处理高电压、大电流的开关任务，其低至105毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的设备寿命和更低的运营成本。在追求绿色能源和高效电力的今天，选择它，就是为您的产品注入了强大的竞争力基因。

那么，为何众多领先厂商在关键设计中纷纷锁定STB34NM60N？答案在于其背后MDmesh II技术的深厚积淀。这项技术优化了单元结构和工艺，不仅实现了超低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容），让开关速度更快、驱动更简易，从而减少开关损耗，还显著提升了器件的坚固性和抗雪崩能力。这意味着您的系统在面对电压尖峰和异常工况时，拥有更强的自我保护能力。选择它，您获得的不仅是一颗高性能MOSFET，更是一份来自意法半导体的品质承诺。为确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:STB34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB34NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高电压与高效率挑战的功率开关吗？STB34NM60N正是您的理想之选。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和29A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅105毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它内置的快速开关特性（低栅极电荷Qg）让您能轻松设计出更高频率的电路，从而缩小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。无论是面对工业级的严苛温度环境（结温高达150°C），还是需要高可靠性的长期运行，其D2PAK封装和强大的功率处理能力（250W）都能让您信心十足，轻松构建出性能强劲且稳定耐用的电力电子核心。