STF140N8F7

当您的电源转换系统需要兼顾高效率与紧凑设计时，是否曾为功率器件的选择而困扰？想象一下，一个能显著降低导通损耗、提升整体能效，同时确保系统长期稳定运行的解决方案，正是工程师们梦寐以求的。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越之作STF140N8F7。这款N沟道功率MOSFET，凭借其业界领先的4.3毫欧超低导通电阻（Rds(on)），在32A电流、10V驱动电压下，能将导通损耗降至极低水平，直接转化为更低的温升和更高的能源利用率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率密度DC-DC转换器，STF140N8F7都能大显身手。其80V的漏源电压（Vdss）和高达64A的连续漏极电流承载能力，为48V总线应用、电动工具和UPS系统提供了坚实的功率开关基础。得益于先进的STripFET VII和DeepGATE技术，它不仅拥有出色的开关性能，极低的栅极电荷（Qg仅96nC）也意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，动态性能更优越。在追求极致可靠性的工业环境中，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在严苛工况下的稳定输出。

选择STF140N8F7，就是选择了一份经市场验证的卓越与安心。TO-220FP封装在提供优异散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性。这颗芯片的价值，远不止于参数表上的数字，它代表的是更低的系统总成本、更长的产品寿命以及更卓越的终端用户体验。让它成为您下一个高性能设计的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STF140N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF140N8F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STF140N8F7正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VII技术，拥有仅4.3毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率，让热量管理变得更轻松。

它具备80V耐压和64A的强大电流处理能力，是工业电机驱动、服务器电源和高效DC-DC转换器的理想选择。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，帮助您优化驱动电路设计。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，更能让您的产品在各种挑战性环境中稳定运行，有效延长设备寿命。