STB45N30M5

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭300V高压与超低导通电阻的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STB45N30M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率器件，以其典型值仅0.037欧米的导通电阻，为您打开了通往更高效率、更小体积、更强性能的大门。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车车载充电器(OBC)，STB45N30M5都能游刃有余。它就像一位不知疲倦的“能量守门员”，在高压侧开关应用中，将每一焦耳的电能都精准、高效地传递出去，最大限度地减少能量在器件本身的无谓消耗。这意味着您的终端产品不仅能轻松满足日益严苛的能效标准，更能凭借更低的温升和更高的可靠性，在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的长期信赖。

选择STB45N30M5，您选择的不仅仅是一个参数优异的元器件，更是一套经过市场验证的可靠解决方案。它采用坚固的DPAK（TO-263）表面贴装封装，功率处理能力出众，为您的PCB布局和散热设计提供了极大的灵活性。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取它时，您将获得从原厂品质保障、稳定供货到专业技术支持的全方位护航，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即将STB45N30M5纳入您的设计，体验它如何以卓越的电气性能和稳定性，成为您下一代高性能电源系统中不可或缺的核心动力。

• 型号:STB45N30M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压开关应用的效率瓶颈而烦恼吗？STB45N30M5正是为您破局而来的利器。这颗N沟道功率MOSFET拥有高达300V的漏源电压耐受能力，而其核心魅力在于典型值仅0.037欧米的超低导通电阻，这意味着在导通状态下，它的自身损耗极低，能显著提升系统的整体能效，并有效降低温升。

它能让您的电源转换器、电机驱动或照明系统运行得更“冷静”、更高效。优异的开关特性配合DPAK封装出色的散热能力，让您在设计高功率密度产品时更加得心应手，轻松应对紧凑空间和可靠性挑战。选择STB45N30M5，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。