STI22NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI22NM60N技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？当600V的高压应用场景需要兼顾性能与成本时，STI22NM60N的出现，正是为了终结这种两难选择。它不仅仅是一个功率MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为那些对效率有苛刻要求的应用而生。想象一下，在电源转换的每一次开关瞬间，更低的导通电阻意味着更少的热量产生，更高的电压耐受性意味着更宽广的安全工作区，这正是它能带给您的核心价值在严苛环境下依然稳定高效，让能量转换过程行云流水。

这颗芯片的身影，活跃在工业电源、电机驱动、不间断电源(UPS)以及各类照明镇流器等关键领域。无论是驱动一台精密的工业设备电机，还是在数据中心确保电力供应的不间断电源中担任开关重任，STI22NM60N都能凭借其600V的耐压和16A的连续电流能力，从容应对各种挑战。其通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也确保了在振动环境下的连接可靠性，这对于工业级应用至关重要。当您的设计需要面对频繁启停、高浪涌电流或复杂电磁环境时，它内置的稳健性就是您最可靠的后盾。

选择STI22NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管它已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能参数，使其依然是许多经典和特定应用设计的优选。220毫欧的低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，而优化的栅极电荷则有助于降低开关损耗，两者结合，为系统整体效率的提升贡献显著。对于寻求稳定供应链和可靠技术支持的工程师来说，通过正规的ST代理商进行询盘与采购，是确保获得正品器件和获取完整技术资料的最佳途径。它代表了一个时代的性能标杆，其设计哲学在给定的规格内实现最优的效能与可靠性平衡至今仍具有极高的参考价值，是构建坚固、高效电力系统的坚实基石。

型号:STI22NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的核心器件吗？STI22NM60N正是为此而生。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和高达16A的连续电流能力，让您能轻松驾驭工业电源、电机驱动等高压应用场景，为系统注入强劲而稳定的动力。

它的卓越之处在于细节：仅220毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，提升整体能效；优化的栅极电荷特性，让开关过程更加迅速高效，进一步降低开关损耗。无论是应对频繁的开关动作，还是需要持续通过大电流，STI22NM60N都能保持低温、稳定运行，有效延长设备寿命并简化您的散热设计。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠并重的保障。