STP40NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP40NF10技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够同时驾驭高达50A电流与100V电压的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。现在，答案就在眼前STP40NF10，这颗来自意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能解决方案。

它不仅仅是一个参数表上的数字。28毫欧的超低导通电阻，意味着在25A的电流下，它能将导通损耗降至极低，让更多的电能高效地转化为输出，而非无谓的热量。62nC的低栅极电荷与10V的标准驱动电压相结合，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗，这对于高频开关电源、电机驱动等追求动态性能的应用至关重要。无论是工业自动化中驱动伺服电机，还是通信基站里构建高效的DC-DC转换器，亦或是不断进化的电动汽车车载充电机(OBC)，STP40NF10都能以其坚实的100V耐压和高达175°C的结温工作能力，提供稳定可靠的核心动力。其经典的TO-220AB封装，更是兼顾了优异的散热性能与工程师熟悉的安装便利性。

选择STP40NF10，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它代表了意法半导体在功率MOSFET领域深厚的技术积淀，其STripFET II技术专为优化开关性能与导通电阻而设计。这意味着您的产品将获得更长的使用寿命、更高的系统效率以及更紧凑的散热设计空间。当您需要将顶尖的芯片技术转化为市场竞争力时，与值得信赖的ST中国代理合作，不仅能确保您获得正品货源和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供应保障，让您的创新之路畅通无阻。立即采用STP40NF10，为您下一个电源或驱动项目注入强劲、高效且可靠的核心动力！

型号:STP40NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STP40NF10就是您提升系统性能的利器。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达50A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的28毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET II技术，具备62nC的低栅极电荷，让开关动作干净利落，大幅降低开关损耗，特别适合高频开关应用。无论是构建高效的DC-DC转换器、电机驱动电路，还是功率调节模块，它都能让您轻松应对。其坚固的TO-220AB封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行，是您打造高可靠性产品的信心之选。