STB45NF06 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB45NF06技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款性能强劲、稳定耐用的功率开关而反复权衡？今天，我们为您带来一个久经市场考验的卓越答案STB45NF06。这款来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，以其高达60V的耐压和38A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效功率转换的基石。它不仅仅是一个元件，更是您系统动力心脏的可靠保障，让能量流动更顺畅，让设计寿命更长久。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或者高效的DC-DC转换器中，每一次开关动作都要求迅捷而精准，任何损耗和延迟都意味着能量的浪费和系统效率的降低。STB45NF06正是为此而生。它采用先进的STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，在10V驱动电压、19A电流下仅28毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，让您的系统响应如电光火石，整体能效得以大幅提升。无论是应对严苛的工业环境，还是追求紧凑的消费类电源设计，它都能游刃有余。

选择STB45NF06，就是选择了一份源自顶级半导体制造商的品质承诺。其坚固的D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，配合-55°C至175°C的宽广工作结温范围，确保设备在极端条件下依然稳定运行。虽然该型号目前已停产，但其卓越的设计和可靠性使其在存量市场和特定应用中依然拥有不可替代的价值。对于信赖ST品牌、寻求经典稳定解决方案的您，通过官方授权的ST代理渠道，依然可以获取到高品质的货源和专业的技术支持，为您的经典产品或维护项目注入持续动力。让这颗凝聚智慧与工艺的芯片，成为您打造高效、可靠电力系统的强大后盾。

型号:STB45NF06
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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它采用ST引以为傲的STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅28毫欧@10V），这意味着更少的能量以热量形式耗散，显著提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，让您的电路响应更迅捷，运行更稳定。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），更是为产品的长期可靠运行提供了坚实保障。