STB46N30M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB46N30M5技术参数详情：

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与高稳定性的解决方案？答案或许就藏在STB46N30M5这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V技术家族的杰出代表，专为应对严苛的汽车级应用而打造。想象一下，在您的电路板上，一颗芯片就能承载高达53A的连续电流，轻松驾驭300V的电压平台，同时将导通电阻压降至惊人的40毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效，让您的系统从激烈的竞争中脱颖而出。

无论是电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器，还是工业电机驱动、不间断电源（UPS）系统，STB46N30M5都能游刃有余。其卓越的开关特性，得益于优化的栅极电荷（Qg）设计，能显著降低开关损耗，让高频开关应用运行得更冷静、更高效。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，结温高达150°C，确保了系统在极端工况下的长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了一颗强劲而可靠的“心脏”。

为何众多工程师将STB46N30M5作为首选？因为它带来的价值远超一个简单的元器件。它通过了AEC-Q101认证，满足汽车行业的严苛质量要求，这份“出身证明”为您产品的市场准入扫清了障碍。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，也兼容广泛的PCB布局设计。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能得到专业的技术支持，从而加速您的产品开发周期，让创新想法更快地转化为市场领先的产品。现在就采用STB46N30M5，开启能效与可靠性的新篇章。

型号:STB46N30M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 26.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4240 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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在追求极致能效的今天，您是否渴望一颗能大幅降低系统功耗、提升功率密度的核心器件？STB46N30M5正是为此而生。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有300V的耐压和53A的强大电流处理能力，其超低的40毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对挑战而设计。优异的开关性能（低栅极电荷）让您轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，优化整体设计。其坚固的D2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在汽车、工业等恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。选择STB46N30M5，就是选择让您的设计在性能、效率和可靠性上全面领先。