STB50N65DM6

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗与系统可靠性之间的平衡而困扰？当650V的高压应用场景对功率密度提出严苛要求时，STB50N65DM6的到来，正是为了终结这一难题。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM6技术家族的杰出代表，以其高达33A的连续漏极电流和仅91毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能量转换的新大门。这颗芯片的诞生，意味着您的电源设计可以更紧凑、更凉爽，同时承载更大的功率。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器乃至电动汽车充电模块这些对效率与稳定性要求近乎苛刻的领域，每一次开关动作都关乎整体系统的成败。STB50N65DM6凭借其优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，能显著降低开关损耗，让系统在高频下运行依然保持冷静与高效。这意味着您的终端产品能够以更低的温升、更高的功率密度领先于市场，为用户带来更持久、更可靠的使用体验。无论是应对突发的负载波动，还是在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，它都展现出卓越的鲁棒性。

选择STB50N65DM6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热能力，也兼容成熟的自动化贴装工艺，能有效加速您的生产流程并控制成本。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能确保获得原装正品和稳定的供货支持，还能获取深度的技术资源与快速响应服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大助力。

• 型号:STB50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB50N65DM6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管吗？STB50N65DM6正是为您而来。这颗基于先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和33A的强大电流能力，其核心价值在于将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的91毫欧，直接为您大幅降低传导损耗，让电源系统运行得更凉爽、更节能。

它通过优化栅极电荷（Qg）和电容参数，显著提升了开关速度，减少了开关过程中的能量浪费。这意味着您能轻松设计出功率密度更高、频率更高的高效电源、电机驱动或逆变器。其坚固的D2PAK封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的产品设计无后顾之忧，高效迈向市场。