STB50NF25

当您的电源转换系统需要在高电压下承载大电流时，您是否曾为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，这一切有了更优解。我们隆重向您介绍STB50NF25，这颗源自意法半导体STripFET技术家族的N沟道功率MOSFET，正是为高效、可靠的功率处理而生的核心引擎。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键一步。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，稳定与效率是生命线。STB50NF25凭借其250V的漏源电压和高达45A的连续漏极电流处理能力，能够轻松驾驭这些严苛的应用场景。其卓越的导通电阻（低至69毫欧）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速的开关速度，从而显著减少开关损耗。这意味着您的设备能在更低的温升下运行更长时间，整体能效得到大幅提升，让您的产品在市场上更具竞争力。

为什么众多工程师在面临功率设计挑战时会转向STB50NF25？答案在于它带来的综合价值。它采用了坚固的D2PAK封装，不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装设计也简化了您的生产流程。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它应对极端环境变化的强大韧性。更重要的是，选择它意味着您选择了由全球顶尖半导体制造商ST意法半导体提供的品质与可靠性背书。为确保您获得正品保障与完善的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。这颗芯片所蕴含的稳定、高效与耐用特性，正是帮助您的电力电子设计从“能用”迈向“卓越”的坚实基石。

• 型号:STB50NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压与大电流承载能力的功率开关吗？STB50NF25正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有250V的耐压和45A的电流能力，让您在设计服务器电源、电机驱动或焊接设备时，能够轻松应对高功率挑战，系统核心更加稳定可靠。

它采用了先进的STripFET技术，将导通电阻（Rds(on)）降至极低的69毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的设备运行更高效、更凉爽。同时，优化的开关特性有助于提升整体系统的响应速度与能效。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。