STB5N52K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB5N52K3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能与散热表现的功率器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STB5N52K3。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达525V的漏源电压和4.4A的连续漏极电流能力，为您的高压应用筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低能量损耗、实现设计小型化的关键赋能者。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，STB5N52K3正以其卓越的SuperMESH3技术，显著降低导通电阻，在10V驱动下仅1.5欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业电机驱动、照明镇流器，还是各类离线式电源转换器，它都能游刃有余地应对高电压应力和频繁的开关动作。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关切换，让您的电源设计在效率与电磁兼容性（EMI）之间取得完美平衡，轻松满足日益严苛的能效标准。

选择STB5N52K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其坚固的D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达70W），结合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保您的产品即使在恶劣环境下也能长期稳定运行。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取库存，为现有产品线的维护或特定项目提供关键支持。它代表了一个经过市场验证的成熟解决方案，让您的设计无需在性能与风险之间妥协，直接集成这份久经考验的可靠性，加速产品上市进程，赢得市场竞争的先机。

型号:STB5N52K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:525 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STB5N52K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和4.4A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高压场合的核心开关任务。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（1.5Ω @10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升系统整体能效。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关，有助于简化驱动设计并改善EMI性能。坚固的D2PAK封装和70W的功率耗散能力，让您无需担心散热挑战，从容应对高功率密度设计的需求。