STW30NM50N

在追求更高能效和可靠性的电源与电机驱动设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当500V的电压平台和27A的连续电流成为您的设计基线时，一颗兼具高性能与出色性价比的MOSFET就是您方案成功的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的经典力作STW30NM50N。它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统整体表现的得力助手。

这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有低至115毫欧的导通电阻，这意味着在相同的电流下，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。其高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它强大的热可靠性，即使在严苛的工作环境下也能稳定运行，让您的产品寿命和口碑得到双重保障。无论是工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动还是电焊机，STW30NM50N都能游刃有余地应对高电压、大电流的挑战，成为您动力核心的坚实基石。

选择STW30NM50N，就是选择了一份经过市场长期验证的信任。其经典的TO-247-3封装工艺成熟，便于安装和散热处理，能轻松融入您的现有生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在存量市场和高可靠性要求的项目中依然极具价值。为了确保您能获得原装正品和稳定的供货支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。这不仅能保障芯片的来源可靠，更能为您提供专业的技术选型指导和后续服务，让您的产品开发之路更加顺畅、安心。立即行动，让这颗性能强劲的功率芯片为您的下一个项目注入澎湃动力！

• 型号:STW30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW30NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

想象一下，在您的电源或电机驱动系统中，一颗芯片就能同时担当高效开关与可靠卫士的双重角色。STW30NM50N正是为此而生。它基于意法半导体成熟的MDmesh II技术，为您提供500V的坚固电压屏障和27A的强大电流吞吐能力，让您轻松驾驭高功率应用场景。

其核心优势在于极低的导通电阻（仅115毫欧@10V），能显著减少导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，高达190W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了它在长时间、高负荷运行下的稳定性和耐用性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的动力心脏。