STB5N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压开关损耗与系统稳定性的双重挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB5N80K5。这颗源自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和优化的动态特性，正重新定义中功率开关应用的性能标杆。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STB5N80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其4A的连续漏极电流和低至1.75欧姆的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的设备在长时间运行中保持“冷静”，显著减少热能浪费。无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，它都能提供稳定可靠的开关性能，确保系统在各种复杂工况下从容不迫。

选择STB5N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。MDmesh K5超结技术带来了更优的开关速度与损耗平衡，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计更为简化，直接助力于降低系统成本并提升响应速度。其坚固的D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力（高达60W）和长期可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，足以应对极端环境的考验。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STB5N80K5成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

• 型号:STB5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STB5N80K5来为您分忧！这颗800V N沟道MOSFET，基于ST先进的MDmesh K5技术，能为您提供高效、可靠的开关解决方案。其优异的动态特性，让您在开关电源、电机驱动等设计中，轻松实现更低的能量损耗和更高的系统效率。

它集高耐压、低导通电阻和快速开关性能于一身，有效简化您的驱动电路设计，提升整体功率密度。坚固的D2PAK封装确保了强大的散热能力和长期稳定性，让您的产品在严苛环境下也能持续高效运行。选择STB5N80K5，就是为您的核心动力单元注入一颗强劲而可靠的心脏。