STB5NK50ZT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB5NK50ZT4技术参数详情：

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾期待一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？STB5NK50ZT4正是为此而生。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为应对严苛的功率转换环境而设计。想象一下，在高达500V的电压下，它依然能保持稳定的4.4A连续电流输出，同时将导通电阻控制在极低的1.5欧姆，这意味着更少的热量产生和更高的能源利用效率，直接为您的系统注入强劲而冷静的动力核心。

这颗芯片的身影，广泛活跃于开关电源(SMPS)、照明镇流器、电机驱动以及各类离线式电源转换器中。无论是为工业设备提供稳定可靠的后备电力，还是在LED照明驱动中实现精准的调光控制，STB5NK50ZT4都能凭借其优异的开关特性和坚固的耐压能力，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。其D2PAK封装不仅提供了出色的散热性能，表面贴装的设计也顺应了现代电子生产自动化的潮流，让您的生产线装配更高效，产品体积更紧凑。

选择STB5NK50ZT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过市场验证的技术方案。它集高耐压、低导通损耗、快速开关能力和强大的热管理于一身，能显著提升终端产品的能效等级与长期可靠性。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，您依然可以获取可靠的库存或获得完美的替代方案建议，确保您的项目供应链顺畅无阻。让这颗凝聚了先进SuperMESH技术的功率器件，成为您打造下一代高效、耐用电源产品的秘密武器。

型号:STB5NK50ZT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗能高效处理500V高压的功率开关而烦恼吗？STB5NK50ZT4将彻底改变您的设计体验。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，让您轻松驾驭高达4.4A的连续电流，而其低至1.5欧姆的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升系统的整体能效，让热量管理变得更简单。

它专为要求苛刻的开关电源和功率转换应用而优化。极低的栅极电荷（仅28nC）确保了快速高效的开关性能，帮助您的设备响应更迅捷。同时，坚固的D2PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它卓越的可靠性与环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、稳定与耐用的强大保障。