STB60NF10-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB60NF10-1技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高功率场景下稳定输出、同时保持出色热管理的功率开关而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB60NF10-1。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压和高达80A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛挑战而设计。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统整体性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或者大功率DC-DC转换器的核心位置，能量需要被高效、精准地控制与传递。STB60NF10-1正是为此而生。其采用的先进STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，在40A电流、10V驱动电压下，最大值仅为23毫欧。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是驱动重型机械，还是保障数据中心电力供应的纯净与稳定，它都能提供坚实可靠的开关性能。

选择STB60NF10-1，意味着您选择了一份经过时间考验的成熟与稳健。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标高达300W的功率耗散能力、宽广的-55°C至175°C工作结温范围，以及I2PAK封装带来的优秀散热特性使其在存量市场和应用升级中依然极具价值。对于许多经典或长生命周期产品的维护与效能提升而言，它仍是无可替代的优选。当您需要获取这款经典器件或寻求相关技术支持时，可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供可靠的货源和专业的服务。让这颗强大的“心脏”为您的电力系统注入持久澎湃的动力，简化设计挑战，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

型号:STB60NF10-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在设计一个需要处理大电流、高功率的开关电源或电机驱动方案吗？STB60NF10-1正是为您应对这类挑战而准备的利器。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达80A的连续电流处理能力，能轻松担当系统主功率开关的重任。

其核心价值在于卓越的效率。得益于STripFET II技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，坚固的I2PAK通孔封装和宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作，大大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。