STW75N60M6-4

当您的下一个电源设计项目面临效率与功率密度的双重挑战时，您是否在寻找一个既能承载高功率，又能将损耗降至最低的可靠解决方案？答案或许就藏在STW75N60M6-4这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。凭借其高达600V的耐压和72A的连续电流能力，它为工程师提供了广阔的发挥空间，让高功率应用的设计变得前所未有的从容。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩的核心位置，正是这颗芯片在默默高效运转。它能够轻松应对严苛的工业环境，在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的设备在各种极端条件下都能可靠运行。其低至36毫欧的导通电阻，意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅削减，这不仅提升了整体能效，也简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑，成本更优化。选择通过官方授权的ST中国代理进行采购，您获得的不仅是正品保障，更是从选型支持到技术服务的完整价值链条。

为什么越来越多的领先设计选择信赖它？因为它源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh M6系列，这一技术平台专为优化开关性能和降低导通损耗而生。TO-247-4的封装形式提供了优异的散热路径和更高的功率耗散能力（高达446W），让芯片的潜能得以充分释放。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要，能显著提升系统响应速度并减少电磁干扰。无论是升级现有方案还是开创全新设计，它都能为您带来立竿见影的性能提升和长期稳定的运行保障，是您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子产品的理想基石。

• 型号:STW75N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• 现在可以订购STW75N60M6-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为如何平衡高功率与高效率而烦恼吗？STW75N60M6-4正是为您解决这一核心难题而生的利器。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达72A的电流承载能力，让您在设计大功率电源、电机驱动或逆变器时底气十足。

它的卓越之处在于，能以低至36毫欧的导通电阻让电流顺畅通过，大幅降低导通损耗，从而提升整体能效，让您的产品更节能、发热更少。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更高效、更安静。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致的能效标准，它都能让您的设计轻松达标，脱颖而出。