STB60NF10T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB60NF10T4技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的卓越解决方案STB60NF10T4。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，成为众多严苛应用的信心之选。它不仅仅是参数的堆砌，更是稳定性能与卓越工艺的结晶，旨在为您的产品注入强劲而持久的动力核心。

想象一下，在服务器电源单元中，它如何以低至23毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，提升整体能效；在工业电机驱动或大功率DC-DC转换器中，其高达300W的功率耗散能力，确保系统即使在繁重负载下也能稳定运行，无惧高温挑战。无论是新能源领域的车载充电器，还是不断电系统(UPS)中的关键开关，STB60NF10T4都能凭借其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的D2PAK封装，提供卓越的环境适应性与机械可靠性，让您的设计从容应对各种复杂工况。

选择STB60NF10T4，意味着您选择了一个经过市场长期验证的成熟平台。它隶属于意法半导体经典的STripFET II产品家族，这一技术确保了优异的开关特性和稳健性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能使其在存量市场和高可靠性要求项目中依然备受青睐。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是获得正品芯片的保障，更是为您的项目供应链安全加上一道坚实的保险。让这颗强大的“能量心脏”，驱动您的产品迈向更高性能与更可靠的未来。

型号:STB60NF10T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能轻松驾驭大功率任务的“开关”吗？STB60NF10T4正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通时的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升终端产品的能效等级和可靠性。

得益于意法半导体先进的STripFET II技术，它在开关速度和导通损耗之间取得了完美平衡。高达300W的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），让它无惧严苛环境挑战。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，非常适合自动化生产，并能有效散热。选择它，就是为您的设计选择了一颗经久耐用、性能强悍的动力基石。