STB6NK60Z-1

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否正在寻找一款能够平衡性能、成本与稳定性的高压开关解决方案？今天，我们为您带来一个卓越的答案STB6NK60Z-1。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和6A的连续电流，为您的高压应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的可靠伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动控制板中，STB6NK60Z-1正默默发挥着关键作用。它卓越的SuperMESH技术，意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。无论是面对工业环境中的严苛挑战，还是家用电器对长期稳定运行的期望，它都能游刃有余，确保您的系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内持续稳定工作，将可靠性提升到新的高度。

选择STB6NK60Z-1，就是选择了一份经过市场验证的成熟与安心。其经典的I2PAK通孔封装，不仅提供了出色的散热性能和机械强度，也简化了您的生产与维修流程。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在众多成熟、大批量应用中的卓越地位和无可替代的价值。对于需要高性价比、高可靠性的升级或备货需求而言，它无疑是经过时间淬炼的黄金选择。我们作为值得信赖的ST中国代理，致力于为您提供原装正品与专业支持，让这颗经典芯片继续在您的产品中创造价值。

• 型号:STB6NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STB6NK60Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否希望为电源或电机控制应用找到一颗高效、可靠的“心脏”？STB6NK60Z-1正是为此而生。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和6A的强大电流处理能力，让您轻松应对高压开关场景，显著提升系统能效。

它极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），意味着更少的能量损耗和更快的开关响应。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动稳健的电机，它都能让您的设计运行得更凉爽、更高效。其坚固的I2PAK封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，为您产品的长期稳定运行保驾护航。