STP110N7F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP110N7F6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在68V电压下承载高达110A电流的开关器件，其导通电阻低至惊人的6.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被高效地输送到您的系统中。这正是STP110N7F6带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

无论是工业电机驱动中需要快速响应的变频控制，还是服务器电源、不间断电源(UPS)中要求苛刻的DC-DC转换环节，甚至是高功率LED照明和电动工具的动力核心，STP110N7F6都能游刃有余。其出色的STripFET F6技术平台，确保了在严苛工况下的稳定性和可靠性，让您的设计在面对浪涌电流和高温环境时依然信心十足。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲而高效的心脏。

为什么众多工程师在面临关键功率开关选型时，会倾向于这款产品？答案在于它卓越的综合性能与经典的TO-220封装带来的便利性平衡。极低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路可以更简单、更快速，从而提升整体开关频率和系统响应速度。高达175°C的结温工作能力，为您的散热设计提供了更宽的安全裕度。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目与生产的延续性。它代表了一个经过市场验证的高性能时代解决方案，是构建高效、紧凑且可靠功率系统的上佳之选。

型号:STP110N7F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:68 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:176W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？STP110N7F6正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有68V的耐压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它基于成熟的STripFET F6技术，不仅开关性能优异，而且坚固可靠。高达176W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让您轻松应对各种严苛环境。无论是用于提升能效，还是缩小产品体积，STP110N7F6都能让您的设计脱颖而出，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。