STL6NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL6NM60N技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾高效与紧凑设计的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STL6NM60N这颗杰出的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体MDmesh II技术家族的明星成员，专为应对苛刻的功率转换挑战而生。其600V的漏源电压和5.75A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的性能基石，让您在追求更高能效的道路上信心十足。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动电路中，STL6NM60N正扮演着能量高效流转的核心角色。它凭借其出色的动态特性，如低至920毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能够显著降低开关损耗和导通损耗，这意味着更低的发热和更高的系统整体效率。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率模块，它都能轻松融入，以其卓越的稳定性和可靠性，确保终端产品长时间无故障运行，直接提升您的产品竞争力。

选择STL6NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的PowerFLAT（5x5）封装，在提供出色散热性能的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，完美契合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定应用和库存解决方案中依然极具价值。对于寻求稳定供应和技术支持的工程师，通过值得信赖的ST中国代理进行咨询与采购，无疑是获取这颗经典芯片并获取相关替代方案建议的明智之选。让STL6NM60N成为您下一个成功设计中，那枚虽不张扬却至关重要的“能量心脏”。

型号:STL6NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFLAT（5x5）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效，并拥有紧凑身形的功率开关解决方案？STL6NM60N正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II技术，能够轻松应对高达600V的电压和5.75A的连续电流，其低至920毫欧的导通电阻和优化的动态参数，直接为您带来更低的能量损耗和更高的工作效率。

它能让您的电源转换系统运行得更凉爽、更安静，显著提升整体能效。采用节省空间的PowerFLAT封装，它不仅性能强劲，还能帮助您实现更紧凑、更优雅的电路板布局。选择STL6NM60N，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“动力核心”。