STB70NH03LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB70NH03LT4技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载60A大电流，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与设计简化？这正是STB70NH03LT4为您呈现的答案。作为ST意法半导体STripFET III家族的杰出代表，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对可靠性与效率的双重考验，STB70NH03LT4都能游刃有余。其30V的耐压与高达858W的功率处理能力，为各种中低压、大电流应用场景提供了坚实的基石。表面贴装的D2PAK封装，兼顾了出色的散热性能与自动化生产的便利性，让您从原型到量产都畅通无阻。面对复杂的电磁环境，其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关行为，有效减少噪声干扰，让系统运行更稳定、更安静。

选择STB70NH03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它继承了ST在功率半导体领域数十年的技术积淀，其超低的9.5毫欧导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更少的发热，这意味着您的设备能效更高、续航更久、散热设计更简单。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它应对极端环境挑战的底气，确保产品在各种苛刻条件下依然稳定运行。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在特定存量市场和优化设计中依然极具价值。如需获取此型号或寻找其替代方案，您可以随时咨询专业的ST芯片代理，他们能为您提供全面的产品线与技术支持。让STB70NH03LT4成为您设计中那颗可靠而高效的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

型号:STB70NH03LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:858W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关吗？STB70NH03LT4正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅9.5毫欧，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的传导损耗，直接提升系统整体效率。

它让您轻松应对严苛的 thermal 挑战。高达858W的功率耗散能力，结合D2PAK封装优异的散热特性，确保芯片在高负荷下依然保持冷静。同时，其优化的栅极电荷（Qg仅21nC@5V）让开关速度更快、损耗更低，助您实现更高频率的设计，从而缩小外围元件体积，让您的产品更紧凑、更具竞争力。