STB75NH02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB75NH02LT4技术参数详情：

在追求极致能效的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB75NH02LT4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其24V的耐压和高达60A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、延长设备寿命、降低整体能耗的关键赋能者。

想象一下，在您的电机驱动控制板、DC-DC转换模块或电池保护电路中，STB75NH02LT4正默默发挥着核心作用。它极低的导通电阻（典型值仅8毫欧@10V驱动）意味着在开关过程中，能量以热的形式耗散被降至极低，让您的电源系统运行得更“冷静”，效率自然大幅攀升。无论是应对汽车辅助系统中的瞬间大电流冲击，还是在工业自动化设备的伺服驱动里进行高频切换，它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）都确保了极端环境下的稳定输出，让设计再无后顾之忧。

选择STB75NH02LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质。它隶属于ST引以为傲的STripFET III产品家族，该技术通过优化的单元结构，在相同的硅片面积上实现了更低的Rds(on)和更优的开关特性。其5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。虽然该型号已标注停产，但其卓越的性能和可靠性使其在诸多存量项目和特定领域应用中依然极具价值，专业的ST芯片代理渠道仍能为您提供稳定的供应支持与技术服务。当您需要一颗能够扛起电流重担、同时保持敏捷与高效的功率开关时，STB75NH02LT4无疑是您值得信赖的伙伴，它将帮助您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性赢得先机。

型号:STB75NH02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流任务的功率开关吗？STB75NH02LT4正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有24V耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通损耗。在10V驱动下，导通电阻可低至8毫欧，这意味着它能大幅减少开关过程中的热量产生，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

得益于STripFET III先进技术，它实现了优异的品质因数。仅需5V的低驱动电压即可高效开启，让您的电路设计更加灵活简便。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是确保电机驱动控制的强劲与稳定，STB75NH02LT4都能以卓越的电气性能和-55°C至175°C的宽工作温度范围，为您的应用注入持久可靠的动力。