STD100NH02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD100NH02LT4技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够在24V、60A的严苛条件下，依然保持超低导通电阻和快速开关性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是STD100NH02LT4为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体STripFET II技术的杰出代表，旨在将效率提升至全新高度，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中不可或缺的负载开关，STD100NH02LT4都能游刃有余。其4.8毫欧的超低导通电阻，意味着在30A的大电流通过时，产生的热量损耗被降至极低，这不仅提升了整体能效，更直接简化了您的散热设计，让系统运行更凉爽、更稳定。高达175°C的结温工作范围，赋予了它无与伦比的可靠性，确保在各种极端环境下都能持续稳定输出。

选择STD100NH02LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。它采用经典的DPAK封装，易于焊接和自动化生产，能无缝集成到您的现有工艺流程中。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性或成本优化项目的绝佳选择。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的货源和专业的技术支持，确保您的项目供应链安全与设计成功。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率开关，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电子产品的强大引擎。

型号:STD100NH02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3940 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾大电流与高效率的开关解决方案吗？STD100NH02LT4正是为您而来的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有24V的耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅4.8毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

得益于STripFET II先进技术，它在10V驱动电压下就能实现优异的性能，栅极电荷（Qg）控制出色，确保快速干净的开关动作，让您轻松优化开关频率和驱动电路设计。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能帮助您简化散热设计，缩小产品体积，最终以更低的系统总成本，实现更具市场竞争力的高性能设计。