STD10LN80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD10LN80K5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD10LN80K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其800V的卓越耐压和仅为630毫欧的超低导通电阻，重新定义了高性能功率开关的标准。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着在严苛应用环境中无与伦比的可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是电动汽车充电桩的核心电路中，STD10LN80K5正以其强大的性能稳定运行。它高达8A的连续漏极电流和110W的功率耗散能力，足以应对瞬间大电流冲击和持续高负载工作，确保系统心脏强劲而持久地跳动。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰，使得整个电源系统的设计可以更加精简，散热压力大幅减轻，最终帮助您打造出体积更小、效率更高、运行更安静的新一代产品。

选择STD10LN80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与前沿技术。MDmesh K5超结技术是其强大性能的基石，在相同的芯片面积下实现了更优的Rds(on)与Qg平衡。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的DPAK封装，赋予了它适应从寒带到热带、从工厂车间到户外设备的强大环境适应力。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴权威的ST代理商将为您提供从选型到量产的一站式服务。立即采用STD10LN80K5，让它成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的最强助力，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STD10LN80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-252（DPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252（DPAK）
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
现在可以订购STD10LN80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心？STD10LN80K5正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的惊人耐压和仅630毫欧的超低导通电阻，让您在设计高压电源、电机驱动或PFC电路时，能大幅降低导通损耗，轻松提升整体系统能效，将更多电能转化为有效输出。

得益于ST先进的MDmesh K5技术，它在提供8A强大电流能力的同时，还保持了优异的开关特性。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源工作频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现更紧凑、更轻量化的产品设计。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，为您产品的长期耐用性保驾护航。