STD120N4F6

当您的下一个汽车电子项目需要兼顾高效能与极致可靠性时，您是否曾为寻找一颗能承受严苛环境考验的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体的新一代功率解决方案STD120N4F6，这颗专为汽车级应用而生的N沟道MOSFET，将以其卓越的性能，成为您设计中的核心动力源泉。

想象一下，在电动汽车的电机驱动、车载DC-DC转换器或是先进的电池管理系统（BMS）中，电流的每一次高效、精准的开关都至关重要。STD120N4F6正是为此而生。它基于先进的STripFET VI和DeepGATE技术打造，在仅4毫欧的超低导通电阻下，能够轻松驾驭高达80A的连续电流。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接为您带来更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是应对引擎舱内的高温，还是满足-55°C至175°C的宽广工作温度范围，它都游刃有余，确保您的产品在任何极端条件下都能稳定输出。

选择STD120N4F6，就是选择了一份安心与超越。它不仅仅通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，更在性能上设立了新的标杆。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让开关过程更快、更平滑，显著降低了开关损耗，使得整个系统的响应速度得以提升，电磁干扰（EMI）也更易于控制。对于追求功率密度和可靠性的工程师而言，这颗采用紧凑DPAK封装的芯片，是您在有限空间内实现强大功率处理能力的不二之选。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD120N4F6为您的创新注入强劲而可靠的动力，共同驱动未来出行。

• 型号:STD120N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD120N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时坚如磐石的功率开关吗？STD120N4F6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，拥有惊人的4毫欧超低导通电阻，能轻松应对高达80A的大电流，让您的电源转换或电机驱动方案损耗更低、发热更少，效率显著跃升。

它专为严苛环境打造，工作温度横跨-55°C至175°C，并通过AEC-Q101认证，确保在汽车应用中的长期可靠性。其优化的动态特性（如低栅极电荷）让开关更快更干净，助您轻松实现高效、紧凑且稳健的设计。选择STD120N4F6，就是为您的产品选择了持久耐用的高性能核心。