STULED656 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STULED656技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关器件的性能瓶颈而困扰？当650V的电压平台成为工业电源、电机驱动和照明系统的常见需求，一颗能够在高压下稳定工作、同时保持出色导通特性的MOSFET，往往就是决定产品成败的关键。今天，我们为您带来的STULED656，正是意法半导体为应对此类挑战而打造的经典力作，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统整体竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源或工业变频器中，STULED656凭借其650V的漏源电压额定值和高达6A的连续漏极电流，能够从容应对严苛的电压应力与电流负载。其N沟道设计和10V的标准驱动电压，让它在开关电源的PFC（功率因数校正）电路、反激或正激拓扑中游刃有余，实现高效的能量转换。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其导通电阻低至1.3欧姆，这意味着更低的传导损耗和发热量，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是面对频繁启停的电机驱动场景，还是需要稳定输出的LED驱动阵列，它都能提供坚实可靠的性能保障。

选择STULED656，就是选择了一份经过市场验证的安心。其IPAK通孔封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度，也简化了PCB布局与生产流程。高达70W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了它在高温环境下依然稳定工作，大大提升了您产品的环境适应性和可靠性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在存量市场、特定升级方案或对经典设计有需求的客户中，依然具有极高的价值。如果您正在寻找可靠的供货渠道与技术支持，专业的ST芯片代理将是您获取这颗经典器件、并获取相关替代或升级方案建议的最佳伙伴。让STULED656的卓越性能，成为您产品在激烈市场中脱颖而出的秘密武器。

型号:STULED656
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压开关应用寻找一颗性能与可靠性兼备的“心脏”吗？STULED656正是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和6A的强电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或高效照明系统时，能够轻松应对高压环境，确保系统稳定高效运行。

它的核心魅力在于卓越的能效表现。在10V标准驱动下，其导通电阻极低，这意味着在开关过程中能量损耗更小，发热量更低，直接帮助您提升整机效率并简化散热设计。同时，其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的工作结温，赋予了产品出色的耐用性和环境适应性。选择STULED656，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与经久耐用的品质承诺。