STD134N4F7AG

当您的下一个汽车电子或工业电源项目需要兼顾高效能与极致可靠性时，您是否正在寻找那颗能承载关键动力、又经得起严苛考验的“心脏”？答案或许就藏在STD134N4F7AG之中。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您系统动力与效率的坚实保障。它拥有高达80A的连续漏极电流承载能力和低至3.5毫欧的导通电阻，这意味着在相同的功率需求下，它能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量，直接为您的产品带来更长的续航、更低的温升和更高的整体能效。

想象一下，在电动汽车的电机驱动模块中，它需要快速、精准地切换大电流；在工业伺服系统的电源转换单元里，它必须在频繁启停中保持稳定；甚至在严苛的发动机舱环境中，它也要耐受高温与振动。STD134N4F7AG正是为这些挑战而生。它隶属于意法半导体引以为傲的Automotive, AEC-Q101认证的STripFET系列，专为汽车级可靠性设计，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下性能依然坚如磐石。其DPAK封装兼顾了功率密度与散热需求，让您的PCB布局更加灵活高效。

选择STD134N4F7AG，您选择的不仅是一个参数出色的MOSFET，更是一套完整的价值解决方案。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着驱动更简单，开关速度更快，能有效提升系统的动态响应和频率性能。高达134W的功率耗散能力，为您提供了充足的设计余量。更重要的是，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，您将获得原厂正品保障、稳定的供货支持以及专业的技术服务，让您的产品从设计到量产全程无忧。让STD134N4F7AG成为您下一个成功项目的强大引擎，开启高效、可靠的动力新纪元。

• 型号:STD134N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2790 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在设计需要处理大电流、追求高效率的电源或电机驱动方案吗？STD134N4F7AG就是为您而来的强力助手。这颗40V/80A的N沟道MOSFET，凭借其低至3.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，轻松应对严苛的功率切换任务。

它基于先进的STripFET技术打造，并满足汽车级AEC-Q101标准，具备卓越的可靠性和坚固性。宽达-55°C至175°C的工作结温范围，让它无惧高温环境的挑战。无论是用于汽车电子、工业电源还是其他高可靠性应用，它都能提供稳定强劲的性能输出，让您的产品设计更具竞争力。