STD140N6F7

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载80A大电流、导通电阻低至3.8毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，STD140N6F7正是为此而生的答案。它来自ST意法半导体久经考验的STripFET技术家族，以其卓越的性能，为您打开高效、可靠功率管理的新大门。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是不断小型化的车载充电器（OBC），STD140N6F7都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达175°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。当您的设计面临空间紧凑与散热挑战的双重压力时，这颗采用DPAK封装的MOSFET能以更小的体积，实现更低的温升和更高的功率密度，让您的终端产品在竞争中脱颖而出。

选择STD140N6F7，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个参数优秀的元器件，更是系统整体效率提升的关键支点。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为更低的系统功耗和更长的电池续航。我们深知可靠的供应链至关重要，通过官方授权的ST代理渠道，您可以获得正品保障与全面的技术支持，让从选型到量产的每一步都踏实稳健。立即将STD140N6F7纳入您的设计，亲身体验它如何以强大的性能释放，为您的创新注入澎湃动力。

• 型号:STD140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD140N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STD140N6F7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于先进的STripFET技术打造，拥有60V耐压和高达80A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至3.8毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片旨在让您的设计工作变得更轻松。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，有助于实现更快的开关频率，从而提升系统整体能效和功率密度。无论是面对工业控制中的频繁启停，还是消费电子中的空间极限挑战，STD140N6F7都能提供稳定可靠的性能支持，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。