STH320N4F6-6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STH320N4F6-6技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾因功率损耗而困扰，或因散热问题限制了系统性能的突破？今天，让我们聚焦一颗能彻底改变游戏规则的功率器件STH320N4F6-6。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端DeepGATE与STripFET VI技术的结晶，专为应对最严苛的能效挑战而生。想象一下，将高达200A的连续电流掌控于方寸之间，同时导通电阻低至惊人的1.3毫欧，这意味着在您的大电流应用中，更多的电能被高效转换，更少的热量被无谓浪费，系统整体能效和可靠性将获得质的飞跃。

这颗芯片的强大性能，使其成为众多高要求应用的理想心脏。在新能源汽车的电机驱动与车载充电系统中，它能确保动力澎湃输出与快速充电的稳定可靠；在服务器电源和工业变频器里，其卓越的开关特性与低损耗，助力设备7x24小时不间断高效运行；即便在空间紧凑的通信基站电源模块中，其H2PAK-6封装也能在提供强大功率处理能力的同时，优化布局与散热设计。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，更是赋予了它无惧严寒酷暑的坚韧品质，完全符合汽车级AEC-Q101标准，让您的产品从容应对各种极端环境。

选择STH320N4F6-6，就是选择了一份面向未来的技术保障。它集高电流能力、超低导通电阻、快速开关性能与卓越的散热能力于一身，直接为您带来更小的系统体积、更低的运营成本和更强的市场竞争力。当您需要构建下一代高效、紧凑、可靠的功率系统时，这颗芯片就是您不容错过的关键拼图。我们作为专业的ST芯片代理，不仅提供这颗卓越的芯片，更愿成为您技术道路上的合作伙伴，为您提供从选型到应用的全方位支持，共同将创新的电力电子解决方案变为现实。

型号:STH320N4F6-6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:H2PAK-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:H2PAK-6
封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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还在为功率转换系统的效率瓶颈寻找突破口吗？STH320N4F6-6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达200A的连续电流处理能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的超低导通电阻（仅1.3毫欧@10V）。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性场景打造，采用优化的H2PAK-6封装，兼具出色的功率耗散能力（300W）和便利的贴装工艺。极低的栅极电荷（240nC）确保了快速干净的开关行为，帮助您轻松提升系统频率，缩小无源器件体积。无论是应对瞬态大电流冲击，还是在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，它都能让您的设计信心十足，从容实现更高功率密度与更强健的性能。