STU7N105K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？现在，让我们为您介绍一个颠覆性的解决方案STU7N105K5。这款来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达1050V的漏源电压和仅为2欧姆的超低导通电阻，为您的高压电路注入澎湃动力与非凡效率。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体性能、降低能耗并确保长期稳定运行的可靠基石。

想象一下，在工业电源、电机驱动、UPS不间断电源或太阳能逆变器等关键应用中，STU7N105K5能够轻松应对严苛的高压环境。其卓越的开关特性与低栅极电荷（仅17nC），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，热量产生更少。无论是处理频繁的功率切换，还是需要在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，它都能游刃有余，确保您的设备在各种挑战下持续输出强劲而纯净的电力。

选择STU7N105K5，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其IPAK（TO-251）通孔封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度，也简化了您的生产流程。更重要的是，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您将获得原装正品、充足库存以及专业的技术支持，让您的产品从研发到量产全程无忧。让这颗凝聚尖端SuperMESH5技术的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力系统的秘密武器，助您在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STU7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STU7N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STU7N105K5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有1050V的强悍耐压和4A的连续电流能力，其核心的SuperMESH5技术带来了革命性的低导通电阻（仅2欧姆@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它能让您轻松驾驭工业电源、电机控制等高要求场景。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，减少发热，让设计更紧凑。高达110W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温，赋予了它无与伦比的可靠性与环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与长久运行的卓越基因。