STL38N65M5

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而苦恼？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率器件，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STL38N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道高压MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的能量核心。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、缩小产品体积并降低整体能耗的战略性选择。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车车载充电器(OBC)和光伏逆变器，STL38N65M5都能游刃有余。其650V的漏源电压为您在高压环境中提供了充足的安全裕度，而MDmesh V技术带来的超低导通电阻（典型值远低于105毫欧），意味着在传导过程中的能量损耗被大幅削减。更低的损耗直接转化为更少的热量，这让您的系统即使在长时间满载运行下也能保持冷静与稳定。当您需要可靠的ST芯片代理合作伙伴来支持您的量产计划时，选择我们意味着获得了从技术选型到稳定供应的全程保障。

为什么越来越多的工程师将目光投向它？关键在于其全方位的性能优化。PowerFlat HV封装不仅实现了极低的封装寄生电感，确保了开关过程的干净利落，减少了电压尖峰和电磁干扰(EMI)，其紧凑的8x8毫米尺寸更是为高功率密度设计铺平了道路。同时，优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性，让驱动电路的设计变得更为轻松，开关速度更快，系统整体效率再上一个台阶。高达150°C的结温工作能力和出色的热性能（Tc条件下150W的耗散功率），赋予了它应对瞬时过载和恶劣环境温度的强大韧性。

选择STL38N65M5，您选择的不仅是一颗高性能MOSFET，更是一份面向未来的投资。它让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，以更小的体积承载更大的功率，以更稳定的表现赢得市场信任。立即将这颗能量引擎融入您的下一个设计，亲身体验它如何以卓越的性能和可靠性，驱动您的创新走向成功。

• 型号:STL38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta），22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL38N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性与紧凑布局要求的“心脏”吗？STL38N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，凭借650V的高耐压和极低的导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机控制等应用中的传导损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅体积小巧，有助于您实现高功率密度设计，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）更能让您轻松驱动，提升整体开关频率和响应速度。高达150°C的结温工作能力和强大的功率处理能力，确保了它在严苛环境下的持久稳定，让您对产品的长期可靠性充满信心。