STL105NS3LLH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL105NS3LLH7技术参数详情：

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在更小的空间内承载更大的电流，同时将发热和损耗降至前所未有的低水平？这正是STL105NS3LLH7为您带来的核心价值。作为意法半导体DeepGATE和STripFET VII技术家族的杰出代表，这颗N沟道功率MOSFET以其仅3.9毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V电压等级下的效率标杆。当您需要处理高达105A的连续电流时，它不仅能轻松胜任，更能让系统的整体能效和可靠性迈上一个全新的台阶。

无论是面对严苛的汽车电子环境，还是追求极致功率密度的工业变频器、服务器电源，STL105NS3LLH7都是您值得信赖的伙伴。其卓越的开关特性，得益于极低的栅极电荷和优化的内部结构，意味着在高速开关应用中，您可以获得更快的响应速度和更低的开关损耗。这直接转化为更低的系统温升和更长的使用寿命，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。当您与专业的ST代理商合作时，不仅能获得这颗高性能芯片，更能得到从选型到应用的全方位技术支持。

选择STL105NS3LLH7，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的PowerFlat 5x6封装，在提供强大功率处理能力的同时，最大限度地节省了宝贵的PCB空间，为您的产品小型化、轻量化设计铺平道路。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多对长期可靠性和性能有极致要求的现有方案及备货市场中，它依然闪烁着不可替代的光芒。让这颗凝聚了尖端技术的芯片，成为您打造高效、紧凑、可靠功率系统的坚实基石，开启能效革命的新篇章。

型号:STL105NS3LLH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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在追求极致效率的功率电子世界，您是否正在寻找一颗既能承载大电流，又能将损耗压到最低的开关器件？STL105NS3LLH7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的3.9毫欧超低导通电阻，让您在处理高达105A电流时，也能大幅降低导通损耗，显著提升系统整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关设计运行得更凉爽、更高效。极低的栅极电荷确保了快速干净的开关动作，配合30V的漏源电压和宽广的工作温度范围，为您在各种严苛应用中的稳定运行保驾护航。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。