STF5N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STF5N60M2技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为功率器件的选择而权衡？当600V的电压平台遇上对效率和可靠性的严苛要求，STF5N60M2的出现，正是为了终结这种两难。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为那些需要在高电压下实现低损耗和稳健运行的场景而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，这颗芯片能够轻松驾驭。其600V的漏源电压和3.7A的连续电流能力，为系统提供了坚实的功率处理基础。而真正让它脱颖而出的，是其在导通电阻与开关性能间的精妙平衡。1.4欧姆的低导通电阻意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，这一切都直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的产品在市场中更具竞争力。

选择STF5N60M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产的便利性与可靠性。高达150°C的结温工作能力，赋予了设计者更宽的安全裕度和应对恶劣环境挑战的信心。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了您能获得原厂正品与专业的服务支持。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，它都是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的强大引擎。

型号:STF5N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:20W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与可靠性的功率开关吗？STF5N60M2正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的坚固耐压和3.7A的电流处理能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制应用时，轻松应对高电压平台的挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。1.4欧姆的低导通电阻显著降低了功率损耗，而优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关响应，从而全面提升系统能效。采用可靠的TO-220FP封装，散热性能优异，结温高达150°C，为您提供宽裕的设计余量和长久稳定的运行保障。选择它，就是为您的产品注入高效与可靠的核心动力。