STP170N8F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP170N8F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在80V电压下承载120A强劲电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的3.9毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的革命性飞跃。今天，我们为您带来的STP170N8F7，正是这样一颗源自意法半导体STripFET F7系列的卓越N沟道MOSFET，它专为挑战高性能应用的极限而生。

当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量损耗和更低的温升。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，同时显著提升整体能效比，在激烈的市场竞争中赢得关键的节能优势。无论是面对严苛的工业环境还是需要7x24小时不间断运行的通信基站，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围都提供了坚实的可靠性保障。

选择STP170N8F7，就是选择了一种经过验证的高性能解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您产品稳定性和竞争力的基石。其TO-220封装兼顾了优异的功率耗散能力（高达250W）与成熟的安装工艺，让您的生产集成轻松高效。更重要的是，通过我们专业的ST中国代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持到技术咨询的全方位服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。现在就拥抱这颗高效能芯片，让它为您的下一个设计注入强劲动力，开启能效新纪元。

型号:STP170N8F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的开关解决方案吗？STP170N8F7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您轻松驾驭高达80V的电压和120A的连续电流，凭借其仅为3.9毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗，从而显著提升整个系统的能源利用效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动更强劲、电源转换更高效、负载开关更迅速。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速干净的开关动作，让您能够设计出响应更敏捷的电路。无论是用于工业自动化、通信电源还是新能源领域，STP170N8F7都能以卓越的电气性能和坚固的TO-220封装，为您的产品提供持久可靠的核心动力。