STD155N3H6

想象一下，您的下一款电源或电机驱动产品，能否在保持极致紧凑的同时，承载高达80A的澎湃电流？这正是STD155N3H6为您带来的核心价值。作为意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET以其仅3毫欧的超低导通电阻，在10V驱动下轻松驾驭大电流，将导通损耗降至前所未有的低水平，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在激烈的市场竞争中，从“芯”开始就赢在起跑线上。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要快速响应的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中的负载开关，STD155N3H6都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达175°C的结温工作范围，赋予了它卓越的鲁棒性和环境适应性，确保在各种动态负载和复杂工况下稳定输出。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。尽管该型号已进入停产周期，但其卓越的性能与可靠性在存量市场和特定升级项目中依然闪耀着不可替代的光芒，通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获取这颗经过市场长期验证的“功勋”芯片，为您的经典设计续写辉煌。

选择STD155N3H6，不仅仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一个经过千锤百炼的解决方案。它背后是意法半导体深厚的功率半导体技术积淀，DeepGATE技术确保了更优的栅极控制效率，而STripFET VI结构则实现了单位面积下最低的RdsOn。这意味着，您无需在电路设计上做出过多妥协，就能轻松实现系统能效的显著提升。对于正在寻找高性价比、高可靠性MOSFET来优化现有设计或维护长期产品线的工程师而言，这颗芯片代表的稳定性和性能余量，无疑是保障产品长期口碑与生命周期的明智之选。

• 型号:STD155N3H6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD155N3H6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能在大电流应用中兼顾高效与可靠的“动力核心”吗？STD155N3H6正是为您而来。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压与高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关及导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

得益于先进的DeepGATE与STripFET VI技术，它在10V驱动电压下即可实现优异的性能，栅极电荷（Qg）低至62nC，助力实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战，提升整体系统功率密度与可靠性。