STW80NF55-08 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STW80NF55-08技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达80A的电流下，将导通电阻稳稳控制在8毫欧的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局？这正是STW80NF55-08带来的震撼价值。作为意法半导体STripFET家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数，更是高效与可靠的代名词，专为那些对性能毫不妥协的工程师而生。

无论是服务器电源中需要承受严苛负载的DC-DC转换模块，还是工业电机驱动里要求快速响应与低损耗的开关应用，甚至是不断进化的车载充电系统，STW80NF55-08都能游刃有余。其55V的漏源电压与高达300W的功率处理能力，为系统提供了宽广的安全裕度和强大的动力基石。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，确保您的设备在极端条件下也能持续稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和市场竞争力。

选择STW80NF55-08，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。经典的TO-247-3封装不仅提供了优异的散热路径，也简化了生产装配流程。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定高端或存量市场项目中依然是经典型号。如需获取可靠的货源与技术支持，可以咨询专业的ST代理。让这颗凝聚了尖端STripFET技术的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电源解决方案的坚实核心。

型号:STW80NF55-08
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“硬核”开关吗？STW80NF55-08正是为您而来！这颗N沟道功率MOSFET拥有55V耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流电源或电机驱动应用中，它能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量，直接助力提升系统整体能效。

同时，其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，让开关过程更加干净利落，进一步减少开关损耗。无论是用于提升现有设计的效率，还是构建更紧凑、功率密度更高的新平台，STW80NF55-08都能让您的工作更加轻松高效。它就像一位沉默而强大的动力引擎，确保您的设备运行更稳定、更凉爽、更持久。