STD15N60M2-EP

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2-EP系列中的明星产品STD15N60M2-EP，这颗集高性能与高可靠性于一身的N沟道功率MOSFET，正是为突破现有瓶颈而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片如何能同时实现高效率运行与低温升表现？STD15N60M2-EP凭借其先进的MDmesh M2-EP技术，给出了完美答卷。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流，为中等功率应用提供了坚实的保障。更令人惊喜的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至378毫欧，这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而非浪费在发热上。同时，极低的栅极电荷（仅17nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高速开关频率下也能游刃有余，整体效率跃升新台阶。

无论是工业电源、服务器PSU，还是不断电系统、太阳能逆变器，甚至是高要求的LED驱动，STD15N60M2-EP都能无缝融入，成为系统稳定运行的“心脏”。其DPAK表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，便于自动化生产，其高达110W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了在恶劣环境下依然表现稳健，大大提升了终端产品的耐用性和寿命。选择它，就是为您的产品选择了经得起时间考验的可靠性。

当您决定为下一个项目选择核心功率器件时，理由可以非常明确。在性能与成本之间寻求最佳平衡点，STD15N60M2-EP提供了难以匹敌的价值组合。它源自意法半导体的创新基因，承载着MDmesh系列对卓越能效的不懈追求。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持和供货稳定性，让您的产品开发与量产之路畅通无阻。立即行动，让STD15N60M2-EP为您的设计注入强大动力，共同开启高效、可靠的新篇章！

• 型号:STD15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD15N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心引擎”吗？STD15N60M2-EP N沟道MOSFET正是为您而来。它基于意法半导体先进的MDmesh M2-EP技术，拥有600V耐压和11A电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等中等功率应用的严苛要求。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其极低的导通电阻与栅极电荷，大幅降低了开关损耗和传导损耗，这意味着更高的能源转换效率和更少的发热，直接帮助您提升产品能效等级并简化散热设计。同时，其坚固的DPAK封装和宽工作温度范围，确保了在各种环境下长久稳定的表现。

选择STD15N60M2-EP，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的性能。它将帮助您缩短开发周期，优化BOM成本，最终打造出在市场上更具竞争力的高性能产品。