STD1HN60K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD1HN60K3技术参数详情：

当您的电源设计需要在紧凑空间内实现高效能转换，同时必须承受高达600V的电压冲击时，您是否曾为寻找一颗既可靠又经济的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族中的明星产品STD1HN60K3。这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化设计复杂度的得力助手。它凭借极低的导通电阻和卓越的开关性能，在众多竞品中脱颖而出，为您带来前所未有的价值体验。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动电路中，STD1HN60K3正扮演着能量高效流通的关键角色。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制设备中的功率模块，这颗芯片都能轻松应对。其600V的漏源击穿电压为您提供了充足的安全裕度，确保系统在电压波动时依然稳定如山。而1.2A的连续漏极电流能力，配合仅8欧姆的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而冷静的“心脏”。

为什么越来越多的工程师将STD1HN60K3作为首选？理由清晰而有力。首先，其采用的SuperMESH3技术是意法半导体的王牌，专为优化开关性能和降低Rds(on)而生，这在同电压等级的器件中极具竞争力。其次，极低的栅极电荷（仅9.5nC）和输入电容，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，整体效率更高。最后，DPAK的表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅降低您的组装成本。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您获得的每一颗芯片都源自原厂正品，享有完整的技术支持与供货保障。选择STD1HN60K3，不仅是选择了一个高性能的元器件，更是选择了一个能伴随您的产品走向成功、稳定可靠的合作伙伴。

型号:STD1HN60K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:27W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率转换效率而纠结吗？让STD1HN60K3来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效、紧凑电源设计的秘密武器。它拥有600V的高耐压和1.2A的电流处理能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源、LED驱动或电机控制应用轻松应对严苛的工作环境。其快速的开关特性和低栅极电荷，让驱动设计变得简单，响应更加迅捷。采用DPAK封装，节省空间的同时确保了优异的散热性能。选择STD1HN60K3，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。