STD25NF10LA - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD25NF10LA技术参数详情：

在追求极致能效的电力电子世界，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能在100V电压下稳定承载25A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的35毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到您的终端设备。这正是STD25NF10LA为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体效率、实现设计小型化的得力助手。

无论是驱动一台高速运转的工业电机，还是为服务器电源提供稳定可靠的开关控制，亦或是在新能源车载充电器中扮演关键角色，STD25NF10LA都能游刃有余。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。采用意法半导体先进的STripFET II技术，这颗芯片在提供强大电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和栅极电荷，这意味着您的系统可以运行得更快、更冷、更安静，直接带来产品竞争力的提升和终端用户满意度的增加。

选择STD25NF10LA，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它卓越的电气参数，如仅需2.5V的低栅极阈值电压和优化的动态特性，让驱动电路设计变得前所未有的简单，有效降低了BOM成本和设计复杂度。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与值得信赖的ST中国代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。让STD25NF10LA成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STD25NF10LA
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STD25NF10LA正是为您而生的解决方案。它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，为您提供100V的耐压和高达25A的连续电流承载能力，其超低的导通电阻（典型值35毫欧）能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗N沟道MOSFET拥有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，让您能够轻松实现高速开关，提升系统整体频率和功率密度。无论是用于DC-DC转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的设计更加紧凑，性能更加出众。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。