STF11NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升性能表现的解决方案STF11NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流能力，为您的高压应用注入强劲动力。它不仅仅是又一个元器件，更是您实现高效能量转换、降低系统复杂度的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动电路中，STF11NM50N能够轻松应对严苛的工作环境。其核心采用了先进的MDmesh II技术，这项技术专为优化开关性能而生。它意味着更低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下，典型值仅为470毫欧，这直接转化为更少的导通损耗和更低的发热量。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而在整体上实现更高功率密度和更紧凑的设计。无论是工业电源、UPS不间断电源，还是家用电器中的功率模块，它都能游刃有余，确保系统运行既稳定又安静。

选择STF11NM50N，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能和机械强度，结合高达150°C的结温工作能力，确保产品在长期满载运行下依然坚若磐石。这意味着更长的产品寿命和更低的现场故障率，为您的品牌声誉保驾护航。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。别再让功率器件的瓶颈限制您的创意，立即采用STF11NM50N，开启高效、可靠且更具成本效益的电力电子设计新篇章，让您的产品在市场竞争中脱颖而出！

• 型号:STF11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF11NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关管吗？STF11NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和8.5A的电流处理能力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动设计变得异常轻松。

它通过极低的导通电阻（典型值470mΩ）大幅减少导通损耗，并通过优化的栅极电荷实现快速开关，从而让您的系统运行更高效、发热更少。TO-220FP封装确保了出色的散热，结合宽广的工作温度范围，为您产品的长期稳定运行奠定了坚实基础。选择它，就是为您的核心电路选择了一位值得信赖的“能量指挥官”。