STD25NF10LT4

当您的电源管理设计需要在紧凑空间内实现高效能量转换时，是否曾为寻找一款兼具高功率密度与可靠性的MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐STD25NF10LT4，这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键伙伴。凭借其卓越的电气特性与坚固的物理设计，它能将能量损耗降至更低，让您的设备运行得更冷静、更持久。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或DC-DC转换器中，一颗芯片需要承载高达25A的连续电流，并承受100V的电压考验。STD25NF10LT4正是为此类严苛应用场景量身打造。其采用的先进STripFET II技术，确保了在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的35毫欧，这意味着更少的导通损耗和发热量，直接转化为更高的整体系统效率。无论是工业自动化设备中驱动电机精准启停，还是通信基站电源实现稳定高效的能源分配，亦或是消费类电子产品的快速充电模块，它都能游刃有余，提供稳定如一的高性能输出。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更能从容应对极端环境挑战，保障设备全天候可靠运行。

选择STD25NF10LT4，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的质量承诺。它极低的栅极电荷（仅52nC @ 5V）和输入电容，显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻松高效，助力您的设计轻松达到更高的功率密度目标。标准的DPAK表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。我们作为值得信赖的ST中国代理，确保您能便捷地获得原装正品与全面的技术支持。让STD25NF10LT4成为您下一个成功产品的强大“心脏”，与我们携手，将创新的电源解决方案变为现实，共同赢得市场先机。

• 型号:STD25NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD25NF10LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STD25NF10LT4正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达25A的连续电流承载能力，其核心价值在于让您的设计事半功倍。它采用先进的STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值35mΩ），能显著减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

更令人惊喜的是，其优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关过程快速而干净，极大降低了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。这意味着您不仅能提升能效，还能简化散热设计，让产品结构更紧凑。无论是工业控制、消费电子还是汽车应用，选择STD25NF10LT4，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性的捷径，让您的产品在竞争中脱颖而出。