STD26NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD26NF10技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在100V电压下稳定输出25A电流，同时将导通电阻压降至仅38毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与成本优化？这正是STD26NF10为您呈现的答案。它不仅仅是一个参数，更是意法半导体STripFET II技术的结晶，旨在用更低的导通损耗和卓越的开关特性，直接提升终端产品的可靠性与市场竞争力。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业自动化设备里需要频繁启停的电机控制，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)，STD26NF10都能游刃有余。其高达100W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，意味着它能在各种恶劣环境下稳定运行，让您的设计无惧挑战。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率链路时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择STD26NF10，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期供货保障。它继承了意法半导体在功率器件领域数十年的深厚积淀，其DPAK封装兼顾了优异的散热能力与自动化贴装的生产便利性。更低的栅极电荷（仅55nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而让系统整体效率再上一个台阶。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和高性价比的解决方案，STD26NF10无疑是您的上佳之选。为确保您能获得正品货源与全面的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功增添一份坚实保障。

型号:STD26NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STD26NF10就是为您破局的关键。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了STripFET II先进技术，拥有100V的耐压和25A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的38毫欧导通电阻。这意味着它能显著降低开关状态下的功率损耗，直接为您带来更低的发热和更高的系统能效。

无论是用于开关电源、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行得更‘冷静’、更持久。其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现高效的电能转换与控制。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的‘心脏’。