STD28P3LLH6AG

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在严苛环境下稳定输出、将导通电阻压至毫欧级别的功率器件，将如何彻底改变您的设计。现在，这一切不再是想象。STD28P3LLH6AG的到来，正是为了终结这种妥协，它将意法半导体引以为傲的STripFET H6技术与车规级可靠性融为一体，为您带来前所未有的高效与稳健。

无论是新能源汽车中至关重要的DC-DC转换模块，还是工业自动化设备里需要频繁开关的负载控制单元，甚至是不断追求轻薄化的消费类电子产品的电源路径管理，这颗芯片都能游刃有余。其30V的耐压和高达12A的连续电流承载能力，确保了在主流低压应用中的宽裕设计余量。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的30毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了系统整体效率，让您的终端产品在性能和续航上脱颖而出。

选择STD28P3LLH6AG，就是选择了一份放心的保障。它不仅仅通过了严苛的AEC-Q101车规认证，能够从容应对-55°C至150°C的极端温度挑战，更以其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的驱动损耗，让高频开关应用变得轻松而高效。这意味着您的系统可以跑得更快、更凉、更持久。当您需要可靠的原厂品质与技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，无疑是获得正品保障和完整供应链支持的最优路径。让这颗集高性能、高可靠性于一身的P沟道MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STD28P3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗既能扛大电流、又极其高效节能的P沟道MOSFET而烦恼吗？STD28P3LLH6AG正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的STripFET H6技术打造，拥有30V/12A的强劲规格，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅30毫欧@10V），能大幅减少功率损耗和发热，让您的电源转换或负载开关电路效率飙升。

这颗芯片专为要求严苛的应用而生。它通过了AEC-Q101车规认证，确保在汽车电子等恶劣环境中稳定工作，最高结温可达150°C。同时，其优化的栅极电荷特性让开关速度更快、驱动更轻松，特别适合需要高频操作的场景。选择它，就是为您的设计注入了高效、可靠与持久的基因。