STD2HNK60Z-1

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？现在，答案来了。我们隆重推出STD2HNK60Z-1，这颗源自意法半导体SuperMESH技术家族的N沟道MOSFET，正是为破解这些核心挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STD2HNK60Z-1将如何大显身手。其高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流，为系统提供了坚实可靠的功率处理基础。更令人振奋的是，它极低的导通电阻（典型值）和优化的栅极电荷，意味着在每一次开关动作中，能量损耗都被大幅削减，热量产生显著降低。这直接转化为更低的运行温度、更高的整体效率，以及更长的系统寿命，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。

为何众多工程师在面临高压、高效率的设计要求时，会毫不犹豫地选择它？因为价值显而易见。得益于先进的SuperMESH技术，它在保持出色开关性能的同时，确保了卓越的坚固性和稳定性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种严苛环境。通孔IPAK封装不仅便于焊接和散热管理，也经过了市场的长期验证。选择STD2HNK60Z-1，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺，以及由我们专业ST代理团队提供的全方位技术支持与供应保障。它不仅仅优化了您的电路板，更是在优化您的产品竞争力与市场成功概率。

• 型号:STD2HNK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD2HNK60Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效与可靠的“心脏”吗？STD2HNK60Z-1正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体引以为傲的SuperMESH技术，拥有600V的耐压和2A的电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而设计。

它的核心价值在于让您的设计更轻松、更高效。极低的导通电阻和栅极电荷显著降低了开关损耗和驱动需求，直接提升系统整体能效，同时减少散热压力。无论是用于电源转换、电机控制还是照明驱动，它都能确保稳定、强劲的性能输出。选择它，就是为您的产品注入一颗持久、可靠的高性能核心。