STD2NK90Z-1

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受极端电压又具备出色效率的功率开关而烦恼？答案就在STD2NK90Z-1。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达900V的漏源电压和仅为6.5欧姆的低导通电阻，为您的高压应用筑起一道坚固而高效的防线。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的信心保障。

想象一下，在开关电源、照明驱动或工业电机控制等场景中，电压尖峰和热应力是常态。STD2NK90Z-1凭借其卓越的900V耐压能力，能轻松应对这些恶劣环境，有效减少因电压击穿导致的系统故障。其优化的栅极电荷（仅27nC）和输入电容特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源系统在高效与节能之间找到完美平衡点，无论是用于反激式转换器还是功率因数校正电路，都能游刃有余。

选择这颗芯片，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其通孔I-PAK封装确保了出色的散热性能和机械坚固性，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，即便在环境多变的工业现场也能稳定工作。高达70W的功率耗散能力，让它在处理功率时更加从容。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位协助。让STD2NK90Z-1成为您下一个成功设计的核心动力，它将用卓越的性能证明，高压应用从此可以更简单、更可靠、更高效。

• 型号:STD2NK90Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD2NK90Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关损耗和可靠性头疼吗？STD2NK90Z-1正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的900V耐压和仅2.1A的连续漏极电流能力，其核心价值在于SuperMESH技术带来的超低导通电阻（典型值6.5欧姆），能显著减少导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升。

它能让您轻松驾驭开关电源、LED驱动及各类离线式转换器设计。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，而坚固的I-PAK通孔封装则提供了卓越的散热性能。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因，让高效与稳定兼得。