STD35N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD35N3LH5技术参数详情：

想象一下，您正在设计的电源模块或电机驱动电路，是否总在效率、尺寸与成本之间艰难权衡？今天，我们为您带来一个能打破平衡的卓越解决方案STD35N3LH5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其30V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流承载能力，为您的高效功率转换需求注入了强劲动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键钥匙。

当您需要为紧凑型DC-DC转换器、高效的负载点（POL）电源或精密的电机控制单元选择一颗“心脏”时，STD35N3LH5的表现将超出您的预期。其核心优势在于STripFET V技术带来的极低导通电阻在10V驱动电压下，仅16毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗和热量产生。这直接转化为更高的系统效率、更长的运行时间以及更小的散热设计压力。无论是驱动无人机上的无刷电机，还是管理便携式设备中的电池功率路径，它都能确保能量以最“顺畅”的方式流动，让每一分电力都物尽其用。

选择STD35N3LH5，就是选择了一份可靠与高效。其4.5V的低栅极驱动电压门槛，使其能轻松兼容主流微控制器和驱动IC，简化您的电路设计。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，这对于需要高频PWM控制的应用至关重要，能显著降低开关损耗，提升整体响应性能。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，确保您的产品在各种工况下稳定运行。我们作为值得信赖的ST中国代理，深知这颗芯片的价值所在，它虽然已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和经典设计中依然闪耀着不可替代的光芒，是您优化现有方案或开发经典型号的智慧之选。

型号:STD35N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和快速响应的功率开关而烦恼吗？STD35N3LH5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，能轻松承载35A的连续电流，并以低至16毫欧的导通电阻，让您的电源转换或电机驱动电路效率大幅跃升，显著减少能量浪费和发热。

它能让您的设计事半功倍。仅需4.5V的低驱动电压即可高效开启，完美适配各类控制芯片，让系统集成变得异常轻松。同时，其极低的栅极电荷确保了超快的开关速度，特别适合高频PWM应用，帮助您实现更精准的控制和更高的功率密度。选择它，就是为您的产品选择了强劲、高效且可靠的核心动力。