STD5N52U

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高耐压、低损耗与卓越热管理于一身的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的功率器件STD5N52U，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您通往高效、紧凑、可靠电源系统的钥匙。

源自ST意法半导体备受赞誉的UltraFASTmesh产品家族，这颗芯片天生不凡。525V的惊人漏源电压耐量，让它在面对市电整流后的高压母线时从容不迫，为您的设计提供了充裕的安全裕度。同时，其低至1.5欧姆的导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效传递，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更减轻了散热设计的压力。当您需要可靠的功率开关解决方案时，通过专业的ST授权代理获取原装正品，是保障项目成功与长期稳定性的基石。

它的舞台广阔而关键。无论是您手中正在开发的紧凑型开关电源（SMPS）、不可或缺的功率因数校正（PFC）电路，还是对效率与体积都极为苛刻的LED照明驱动、工业电机控制乃至消费类电子产品的适配器，STD5N52U都能游刃有余。其DPAK封装完美平衡了功率处理能力与占板空间，非常适合现代高密度PCB设计。高达70W的功率耗散能力（结温条件下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的持续稳定运行，让您的产品无惧挑战。

那么，在众多功率器件中，为何独独选择它？答案在于其综合价值。它实现了高压与低导通电阻的优异平衡，配合仅10V的标准驱动电压和优化的栅极电荷，使得驱动电路设计更为简单高效，开关速度更快，系统频率可以做得更高，从而允许使用更小的磁性元件。这一切的最终指向，是让您的终端产品拥有更低的能耗、更小的体积、更强的可靠性以及更具竞争力的市场成本。选择STD5N52U，就是选择了一个经过市场验证的高性能平台，让您的创新设计赢在起跑线上。

• 型号:STD5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5N52U，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压重任，同时又能保持冷静高效的功率开关吗？STD5N52U正是为您而来。这颗来自ST意法半导体UltraFASTmesh系列的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和4.4A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、PFC电路等高压场景的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的能效表现。优化的1.5欧姆低导通电阻，让电流通过时的损耗显著降低，直接提升您的系统效率。同时，其快速的开关特性和良好的热性能（70W耗散能力），让您能够设计出更紧凑、更可靠的电源方案，简化散热设计，助力产品小型化与性能提升。