STD3NK80Z-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD3NK80Z-1技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD3NK80Z-1。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的超高耐压和SuperMESH技术的卓越基因，正重新定义中高压应用场景的性能标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统效率、增强产品耐用性的强大引擎，让能量转换过程更加顺畅、损耗更低，为您的设计注入前所未有的活力与信心。

想象一下，在开关电源的初级侧，尤其是在反激式或正激式拓扑中，STD3NK80Z-1能够从容应对高达800V的电压应力，为您的AC-DC适配器、工业电源或LED驱动提供坚固的防线。其2.5A的连续电流能力，配合优化的导通电阻与栅极电荷，意味着在频繁开关的过程中，它能实现更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是家用电器中的待机电源，还是需要稳定可靠供电的电机驱动辅助电路，这颗芯片都能确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行，让您的产品在各种环境下都表现出色。

选择STD3NK80Z-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它所采用的SuperMESH技术，是ST在高压MOSFET领域的王牌，通过精心优化的单元结构，在击穿电压、导通电阻和动态性能之间取得了完美平衡。这意味着您无需在性能与成本之间艰难取舍。其通孔IPAK封装不仅提供了出色的散热能力，确保70W的功率耗散潜力得以发挥，也便于在PCB上进行可靠的焊接与安装。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品的保障，还能得到及时的技术支持与供应服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将STD3NK80Z-1纳入您的设计库，体验它如何以更少的损耗、更强的鲁棒性和更长的使用寿命，为您的终端产品创造显著的竞争优势与市场价值。

型号:STD3NK80Z-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STD3NK80Z-1正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的惊人漏源击穿电压，让您在设计AC-DC电源、照明驱动或工业控制电路时，面对高压输入或感性负载关断产生的电压尖峰，依然充满信心。

它不仅仅耐压高，更能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。其优化的4.5欧姆导通电阻（@10V Vgs）与仅19nC的低栅极电荷，共同作用，显著降低了导通损耗和开关损耗。这意味着在相同的输出功率下，芯片自身发热更少，系统效率更高，让您轻松达成能效标准，并提升产品的长期可靠性。通孔IPAK封装确保了出色的散热路径，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让它能从容应对各种苛刻环境。