STD3LN80K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD3LN80K5技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在800V高压下稳定工作，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STD3LN80K5为您带来的核心价值。作为意法半导体MDmesh系列中的明星产品，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑型高压电源设计的得力助手。

无论是开关电源、LED照明驱动，还是工业电机控制、充电桩辅助电源，STD3LN80K5都能游刃有余。其800V的漏源击穿电压，为您的设计提供了充足的安全裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而2A的连续漏极电流与仅3.25欧姆的低导通电阻，意味着在传导损耗上实现了显著优化，让您的系统在高效运行的同时，发热更少，温升更低。这直接转化为更长的产品寿命和更低的散热成本，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择STD3LN80K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其采用的先进MDmesh技术，在单位面积内实现了更低的Rds(on)和更优的开关特性，这背后是意法半导体深厚的工艺积淀。极低的栅极电荷（仅2.63nC）和输入电容，使得驱动更加轻松，开关速度更快，进一步降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，通过官方授权的ST代理商进行采购，将是保障项目顺利推进的明智之选。让STD3LN80K5成为您下一个明星产品的“强力心脏”，开启高效节能的新篇章。

型号:STD3LN80K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否正在寻找一颗能在高压环境中稳定高效工作的“开关”？STD3LN80K5正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有高达800V的耐压和2A的电流处理能力，其核心使命就是让您轻松驾驭高压电源转换，显著降低系统的导通与开关损耗。

得益于先进的MDmesh技术，它在保持低至3.25欧姆导通电阻的同时，还具备了极低的栅极电荷和输入电容。这意味着它能被快速驱动，实现高效开关，从而让您的电源设计整体效率更高、发热更少、体积更紧凑。无论是面对-55°C到150°C的严苛工作温度，还是高强度的连续工作，它都能可靠运行，是提升产品性能和可靠性的理想选择。